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    電子元器件整合供應商
    

    
    
    

    
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    解決方案
    
                
    作為致力成為最具價值的電子元器件整合供應商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強大整合能力。公司擁有專門技術團隊，建有電子元器件例行試驗室，能為客戶提供全方位的技術咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測等增值服務。
    
            
    
        
    
    
    

            
    
              
            
    
        
    
        
        
        
    
          
    
            
            
    
              
                

              
    
                  
    
                      
    
                          
    新潔能NCE60P50K：高性能P溝道增強型功率MOSFET
    
                          
    
                              發布時間：2025-05-24
                                  品牌：新潔能(NCE)
                              瀏覽量：31
                          
    
                          
    
                              
    在現代電子設備中，功率MOSFET作為關鍵的功率開關元件，廣泛應用于各種電源管理、電機驅動和功率轉換場景。新潔能NCE60P50K ：高性能P溝道增強型功率MOSFET，憑借其卓越的性能和可靠性，成為高電流負載應用的理想選擇。
    

     
    

    

     
    

    NCE60P50K是一款采用先進溝槽技術設計的P溝道增強型功率MOSFET。該器件通過優化的單元設計，實現了極低的導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷，從而在高電流負載應用中表現出色。其主要特點包括：
    

     
    

    高耐壓：漏源電壓（VDS）高達-60V，能夠承受高電壓沖擊。
    

     
    

    大電流：連續漏極電流（ID）可達-50A，滿足高功率應用需求。
    

     
    

    低導通電阻：在VGS=-10V時，RDS(ON) < 28mΩ，顯著降低功耗。
    

     
    

    高密度單元設計：實現超低RDS(ON)，提高器件效率。
    

     
    

    全面的雪崩電壓和電流特性：確保在過載和短路情況下具有良好的穩定性。
    

     
    

    高能量吸收能力：單脈沖雪崩能量（EAS）高達722mJ，增強器件的魯棒性。
    

     
    

    優異的散熱性能：采用TO-252-2L封裝，有效提高散熱效率。
    

     
    

    NCE60P50K適用于多種高電流負載應用，包括但不限于：
    

     
    

    負載開關：在電源管理系統中，作為高效的負載開關，實現快速、穩定的電流切換。
    

     
    

    電機驅動：在電機控制應用中，提供高效率的功率轉換，降低能耗。
    

     
    

    電源轉換：在DC-DC轉換器中，作為功率開關，提高轉換效率和可靠性。
    

     
    

    電氣特性
    

     
    

    NCE60P50K的電氣特性如下表所示
    

     
    

    


    
參數
符號
條件
最小值
典型值
最大值
單位

    

    
漏源擊穿電壓
BVDSS
VGS=0V, ID=-250μA
-60
-
-
V

    

    
零柵極電壓漏極電流
IDSS
VDS=-60V, VGS=0V
-
-
-1
μA

    

    
柵極-體漏漏電流
IGSS
VGS=±20V, VDS=0V
-
-
±100
nA

    

    
柵極閾值電壓
VGS(th)
VDS=VGS, ID=-250μA
-2.0
-2.6
-3.5
V

    

    
漏源導通電阻
RDS(ON)
VGS=-10V, ID=-20A
-
23
28
mΩ

    

    
前向跨導
gFS
VDS=-10V, ID=-20A
-
25
-
S

    
    

    

     
    

    NCE60P50K的動態特性如下表所示
    

     
    

    


    
參數
符號
條件
最小值
典型值
最大值
單位

    

    
輸入電容
Clss
-
6460
-
-
pF

    

    
輸出電容
Coss
-
719
-
-
pF

    

    
反向轉移電容
Crss
VDS=-25V, VGS=0V, F=1.0MHz
-
535
-
pF

    

    
開啟延遲時間
td(on)
-
15
-
-
nS

    

    
開啟上升時間
tr
-
17
-
-
nS

    

    
關閉延遲時間
td(off)
-
40
-
-
nS

    

    
關閉下降時間
tf
VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω
-
45
-
nS

    

    
總柵極電荷
Qg
-
75
-
-
nC

    

    
柵極-源極電荷
Qgs
-
16
-
-
nC

    

    
柵極-漏極電荷
Qgd
VDS=-30V, ID=-20A, VGS=-10V
-
19
-
nC

    
    

    

     
    

    在使用NCE60P50K時，需要注意以下幾點
    

     
    

    可靠性：該產品不適用于對可靠性要求極高的應用，如生命支持系統、飛機控制系統等。
    

     
    

    額定值：確保在使用過程中不超過器件的額定值，包括最大電壓、電流和功率。
    

     
    

    獨立測試：在將器件集成到最終產品中之前，應進行獨立測試，以驗證其性能和功能。
    

     
    

    安全措施：在設計設備時，應采取適當的安全措施，如保護電路和冗余設計，以防止可能的事故。
    

     
    

    新潔能致力于提供高質量、高可靠性的功率MOSFET產品。NCE60P50K憑借其卓越的性能和可靠性，成為高電流負載應用的理想選擇。