解決方案

新潔能NCE40H21：高性能N溝道增強型功率MOSFET

發布時間：2025-05-07 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：28

新潔能NCE40H21是由無錫NCE功率有限公司生產的一款高性能N溝道增強型功率MOSFET，它采用了先進的溝槽技術與設計，能夠提供出色的導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷，適用于多種應用場合。

基本特性

電氣參數：NCE40H21的漏源電壓（VDS）為40V，連續漏極電流（ID）可達210A。在VGS=10V時，其導通電阻（RDS(ON)）小于2.3mΩ；在VGS=4.5V時，RDS(ON)小于3.2mΩ。此外，它還具有高密度單元設計，實現了超低的RDS(ON)，并且具備完全表征的雪崩電壓和電流，穩定性好，均勻性高，具有高EAS（雪崩能量）能力。

封裝與散熱：該產品采用TO2203L封裝，這種封裝形式有利于良好的散熱性能，能夠滿足高功率應用的需求。

應用領域

NCE40H21適用于多種應用場景，包括但不限于：

功率開關應用：可用于需要高效功率轉換和控制的電路中，例如電源管理模塊、電機驅動等，能夠快速、準確地控制功率的通斷，提高系統的能效和可靠性。

硬開關和高頻電路：在高頻開關電源、逆變器等高頻電路中表現出色，其低柵極電荷和快速的開關特性有助于減少開關損耗，提高電路的轉換效率，同時能夠承受較高的開關頻率，保證電路的穩定運行。

不間斷電源（UPS）：在UPS系統中，NCE40H21可以作為關鍵的功率器件，確保在市電中斷時能夠快速切換到備用電源，并且在持續供電過程中保持穩定的輸出功率，為設備提供可靠的電力保障。

電氣特性與動態性能

導通特性：在VGS=10V、ID=20A的條件下，其導通電阻（RDS(ON)）的典型值為1.9mΩ，最大值為2.3mΩ；在VGS=4.5V、ID=20A時，RDS(ON)的典型值為2.45mΩ，最大值為3.2mΩ。這表明該MOSFET在不同柵極電壓下都能保持較低的導通電阻，從而降低導通損耗，提高電路效率。

動態特性：輸入電容（Clss）為8300pF，輸出電容（Coss）為1145pF，反向傳輸電容（Crss）為998pF。這些電容參數較小，有助于減少開關過程中的寄生效應，提高開關速度和電路的動態性能。

開關特性：在VDD=30V、RL=15Ω、RG=2.5Ω、VGS=10V的條件下，開通延遲時間（td(on)）為15ns，開通上升時間（tr）為40ns；關斷延遲時間（td(off)）為100ns，關斷下降時間（tf）為32ns。總柵極電荷（Qg）為179.5nC，柵極源極電荷（Qgs）為27.6nC，柵極漏極電荷（Qgd）為40.9nC。這些參數表明NCE40H21具有快速的開關能力，能夠有效減少開關損耗和電磁干擾。