解決方案

新潔能N溝道功率MOSFET NCE4009S，滿足充電器、適配器等需求

發布時間：2024-11-21 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：922

隨著手機快充技術迅速發展，功率器件MOSFET，作為充電器、適配器等智能終端配套產品核心元器件之一，同樣也迎來了發展契機。今天給大家推薦一款新潔能N溝道功率MOSFET NCE4009S，滿足充電器、適配器等需求。這款新潔能品牌的N溝道MOSFET，工作電壓為40V，連續漏極電流9A。具有較低的導通電阻，封裝采用SOP8，適用于緊湊空間的電路設計，廣泛應用于高性能電源和功率管理系統，可提供可靠的電流開關控制。

NCE4009S主要參數:

漏源電壓（Vds）：40V
導通電阻（RDS（on））：＜16mΩ @ VGS=10V；＜24mΩ @ VGS=4.5V
連續漏極電流（Id）：9A
脈沖漏極電流（IDM）：40A
功率（Pd）：2W
工作溫度范圍：-55℃~+150℃

NCE4009S典型的電氣和熱特性:

NCE4009S產品優勢：

N溝道增強型：作為N溝道增強型場效應管，NCE4009S具有較低的導通電阻和較高的輸入阻抗，這使得它在開關應用中表現出色，能夠有效降低功耗并提高效率。
導通電阻低：NCE4009S具有較低的導通電阻，導通電阻是芯片在導通狀態下漏極和源極之間的電阻值，較低的導通電阻意味著在導通時的能量損耗較小，從而能夠更高效地傳輸電流。
高電壓和高電流能力：該場效應管具有40V的耐壓能力和9A的電流承載能力，使其能夠在高壓和高電流環境下穩定工作，適合用于功率較大的電路中。
小體積封裝：NCE4009S采用SOP-8封裝，這種封裝形式便于安裝和焊接，同時占用空間較小，適合在空間受限的電路設計中使用。