最新上架
更多- 國巨RT0603DR系列薄膜精密電阻型號解析和推薦型號
- 在性能相當的情況下，中科芯CKS32L052K6T6比STM32L052K6T6具有更高的性價比
- 君耀2RM600L-8-TR高性能氣體放電管守護電路安全
- 國巨薄膜精密電阻 RT0805BR 系列：高性能電路設計的理想選擇
- STM32F407VGT6的國產替代：中科芯CKS32F407IGT6軟硬兼容STM32F407VGT6
- 基美鉭電容T494B、T494C、T494D和T494X系列：高性能低ESR解決方案
- 中科芯CKS32F072CBT6與STM32F072CBT6在性能參數、封裝與尺寸等方面的比較
- 光頡 TFAN 系列薄膜排電阻：以先進薄膜技術賦能高精度電路設計
- 新潔能NCE3407高性能P溝道增強型功率MOSFET適用于PWM等多種應用場景
- 國巨PT0603FR-07、PT0603FR-7T、PT0603FR-7W、PT0603JR-07、PT0603JR-7T、PT0603JR-7W、PT0603-R-07系列厚膜電流感測貼片電阻介紹
愛普生2016/1612熱敏晶振在高通MSM6225/MSM6115手機芯片方案中的應用
MSM6115和MSM6225都是高通公司推出的在智能手機領域應用較多的芯片，前者可與高通驍龍600系列CPU配套使用，后者主要用于入門級手機，它們針對的市場和應用有所不同。愛普生官方網站針對這兩款手機芯片的特點，推薦配套使用內置熱敏電阻器的38.4MHz晶體諧振器，型號為FA2016AS/FA1612AS 38.400000 MHz 8.0 +10.0-10.0，目前訂貨物料編碼可以選擇X1E0003710004和X1E0004010010。兩者在性能上基本沒有區別，主要卻別就是外部尺寸略有不同。
FA2016ASA和FA1612AS晶振特點
內置熱敏電阻,相對于通用的無源晶振具有更好的溫度穩定性。特別適用于智能手機的無線局域網模塊(Wireless LAN),常用頻率是38.4MHz。外部尺寸分別提供1612和2016兩個小尺寸，具有更低的待機電流功耗。
| 芯片型號 | 無源晶振型號 | 產品描述 | 下載 / 購買 |
|---|---|---|---|
| MSM6115/MSM6225/ | X1E0003710004 | FA1612AS 38.400000 MHz 8.0 +10.0-10.0 | |
| X1E0004010010 | FA1612AS 38.400000 MHz 8.0 +10.0-10.0 |
以下高通MSM6225/MSM6115兩款手機芯片的介紹：
MSM6115芯片特點
采用11nm工藝技術。
4+4八核Kryo 260設計，主頻最高2.0GHz。
搭載Adreno 610 GPU。
支持eMMC/UFS 2.1閃存和LPDDR3/LPDDR4X內存。
支持雙頻GNSS，支持Wi-Fi 6和藍牙5.1。
主要應用：適用于需要高性能和多媒體功能的設備，如視頻記錄儀、智能POS收銀機等。
MSM6225芯片特點
發布時間：2005年，主要用于支持新興的WCDMA(UMTS)市場初級設備和以數據為中心的設備。
采用90納米處理技術。
支持上行鏈路和下行鏈路數據傳輸速度高達384kbps。
支持高達130萬像素的攝像頭。
支持Windows Media視頻數字信號編解碼器。
支持流行的音頻格式，包括SMAF™、MIDI、MP3、AAC和aacPlus™。
主要應用：適用于入門級WCDMA(UMTS)手機，支持動態設備和數據為中心的設備。
MSM6225和MSM6115的異同
相同點：兩者都是高通公司的產品，支持多種無線多媒體功能。
不同點：
MSM6225：采用較舊的90納米工藝，支持的功能和性能相對較低端。MSM6115：采用更先進的11nm工藝，支持更高級的功能，如Wi-Fi 6和更高的CPU/GPU性能。
