自進(jìn)入21世紀(jì)后，國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)對(duì)合金電阻和薄膜電阻在內(nèi)的以超高精度精密（如萬(wàn)分之一/0.01%）同時(shí)具備超低溫漂如5ppm的超精密的分立電阻及電阻網(wǎng)絡(luò)的需求迅猛增長(zhǎng)，尤其是在精密儀表、工業(yè)、醫(yī)療與電信應(yīng)用領(lǐng)域。目前國(guó)外主要品牌包括Vishay、TT電子等，臺(tái)灣viking具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)內(nèi)精密電阻品牌以風(fēng)華高科為代表，已經(jīng)在生產(chǎn)規(guī)模和性價(jià)比上具有了替代國(guó)外產(chǎn)品的規(guī)模成本與技術(shù)實(shí)力。南京南山作為風(fēng)華高科直接授權(quán)的全國(guó)8家代理商之一，與風(fēng)華高科密切協(xié)調(diào)，通過(guò)近年來(lái)的不斷努力迅速取得了市場(chǎng)的快速發(fā)展。

精密電阻例行監(jiān)測(cè)實(shí)驗(yàn)室

為了實(shí)現(xiàn)更高的測(cè)量精度，市場(chǎng)對(duì)高精度電阻器件提出了更高的要求，它們需要具有更小的容差、更低的電阻溫度系數(shù)(TCR)和更高的穩(wěn)定性。一般而言，精密 電阻的容差要小于0.5%，TCR小于±50ppm/℃。但是，有些電阻制造商把1%和0.5%的容差確定為厚膜器件的精度等級(jí)。任何存在精密模擬電路的地方，精密電阻網(wǎng)絡(luò)都有用武之地。他解釋說(shuō)，以醫(yī)療設(shè)備為例，在這些應(yīng)用中必須測(cè)量一些物理參數(shù)的微小變化，因此要求電路的前端具有極高的精度。
隨著數(shù)字電子的發(fā)展，穩(wěn)定性變成了越來(lái)越重要的參數(shù)。他說(shuō)：“許多電路板把數(shù)字電子器件與模擬前端組合在一起，因此器件在電路板上穩(wěn)定性變得和初始容差一樣重要，甚至更加重要。它將變得和初始容差一樣重要。”過(guò)去，精密電阻一直是薄膜技術(shù)的領(lǐng)地，但現(xiàn)在厚膜材料也能夠?qū)崿F(xiàn)比較低的容差。例如，現(xiàn)在可以找到容差為1%甚至0.5%的厚膜貼片電阻陣列。這方面發(fā)展的關(guān)鍵是成本：厚膜器件總是比薄膜器件便宜得多。但是，大多數(shù)高精度器件仍將采用薄膜技術(shù)。貼片電阻也在不斷地改進(jìn)。例如，Stackpole Electronics Inc.公司擴(kuò)展了它的RNC系列精密Nichrome薄膜貼片電阻，擴(kuò)大了電阻范圍，容差可達(dá)0.01%，TCR值為5ppm和10ppm。鎳鉻鐵合金(nichrome)作為薄膜電阻元件的優(yōu)點(diǎn)，一直在于能以0.1%的容差和25ppm的TCR提供較寬的電阻范圍。 該公司指出，關(guān)鍵是利用相對(duì)便宜的鎳鉻鐵合金薄膜技術(shù)可以獲得很高的穩(wěn)定性。


南京南山十周年客戶答謝會(huì)現(xiàn)場(chǎng)
TT電子IRC先進(jìn)薄膜部electronics IRC Advanced Film Division是高精度電阻器件市場(chǎng)中的另一家大型廠商。它最近推出的高精度產(chǎn)品是其PFC Divider系列精密貼片分壓器，其中采用TaNFilm技術(shù)的面向精密性能，采用IRC的Tantalum Ultride技術(shù)的面向超精密和高穩(wěn)定性電路。這兩種版本都采用1206封裝。PCF貼片電阻具有很寬的阻值范圍，從1Ω到2.0 MΩ，額定功率為50mW、62.5mW、100mW、125mW、250mW和500mW。最大工作電壓從25V到150V，額定容差可 達(dá)±0.01%，TCR為±5ppm/℃。 IRC擴(kuò)展了它的PCF系列精密薄膜貼片電阻，電阻范圍和容差值范圍擴(kuò)大，有八種封裝尺寸：0201、0402、0603、0805、1206、 1210、2010和2512。典型應(yīng)用包括領(lǐng)域中的精密電路，覆蓋儀表、工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備、電腦、電源和電信等領(lǐng)域。Vishay公司的WSLS2512 器件采用特殊選擇的材料，這些材料可在需要對(duì)敏感電路進(jìn)行高精度電流監(jiān)控且穩(wěn)定性要求嚴(yán)格的高溫(125℃) 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)電流感應(yīng)。例如汽車電子控制應(yīng)用，包括引擎、傳動(dòng)及污染控制設(shè)備。該器件的電阻值范圍是0.01~0.1Ω，容差低至±0.5%，TCR值低 至±30ppm/℃。

風(fēng)華高科總經(jīng)理為南京南山頒發(fā)授權(quán)書
SMNZ器件可單獨(dú)使用也可作為分配器成對(duì)使用，其應(yīng)用包括儀表與差分放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)、橋接電路中的射頻臂、醫(yī)療與測(cè)試設(shè)備，以及軍事與航天系統(tǒng)。Vishay還推出了一款表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻在2,000小時(shí)的工作負(fù)載中最大電阻變化僅為0.5%，因此可實(shí)現(xiàn)更高的電阻穩(wěn)定性。相比之下，典型電流感應(yīng)電阻在1,000小時(shí)工作負(fù)載中，電阻穩(wěn)定性≤1%。Vishay公司一直是超高精度電阻網(wǎng)絡(luò)的最大制造商之一。最近該公司推出了SMNZ高精度Z箔四電阻網(wǎng)絡(luò)，該器件在0℃~+60℃時(shí)具 有±0.05ppm/℃的低絕對(duì)TCR，在溫度為55℃~+125℃時(shí)絕對(duì)TCR為±0.2ppm/℃。此外，據(jù)說(shuō)該器件在額定功率時(shí)還具有5ppm的出 色PCR跟蹤，并且具有0.01%的匹配容差。

南京南山龐大的現(xiàn)貨庫(kù)存

Tantalum Ultride分壓器據(jù)稱有較高的性能，電阻范圍是1k~50kΩ，額定功率為50mW。該分壓器的絕對(duì)TCR為±10ppm/℃，TCR跟蹤低 至±1ppm/℃，絕對(duì)容差可達(dá)±0.02%。在70℃的環(huán)境溫度下，以額定功率連續(xù)運(yùn)行1,000小時(shí)的分比相對(duì)穩(wěn)定度可達(dá)低于50ppm，同樣條件下 的絕對(duì)穩(wěn)定度小于0.02%。據(jù)介紹，TaNFilm電阻元件可以提供優(yōu)異的環(huán)境性能與精度，以及具有更好的TCR、容差和穩(wěn)定性。TaNFilm PFC分壓器的電阻范圍是10Ω~150 kΩ，封裝額定功率為250mW。該分壓器的最大額定電壓為100V，絕對(duì)TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤低至±5ppm/℃。TaNFilm分壓器適用于電池監(jiān)控、電壓參考、電壓轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)器、邏輯電平轉(zhuǎn)換、DC/DC轉(zhuǎn)換器和電源，以及COTS應(yīng)用。
專門用于高穩(wěn)定性應(yīng)用，包括醫(yī)療設(shè)備、石化設(shè)備、儀表和測(cè)試設(shè)備、軍用航空電子設(shè)備和導(dǎo)彈制導(dǎo)。

南京南山半導(dǎo)體業(yè)務(wù)大廳

IRC的精密電阻網(wǎng)絡(luò)采用單邊單片設(shè)計(jì)，以消除環(huán)繞端接引起的寄生效應(yīng)。該器件屬于IRC公司的CHC-Precision系列，采用陶瓷BGA封裝，所有電路都位于器件的底面，以避免環(huán)繞端接。
這種BGA器件的電阻范圍是10Ω~100kΩ，TCR跟蹤可達(dá)±5ppm/℃，分比相對(duì)容差可達(dá)±0.05%，絕對(duì)容差可達(dá)±0.1%，絕對(duì)TCR可達(dá)±25ppm/℃。其應(yīng)用包括工業(yè)設(shè)備、工藝監(jiān)控、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表。廠商正在確定SOT-23分壓器網(wǎng)絡(luò)的規(guī)格，準(zhǔn)備用于軍事、航天、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中的增益電路。

TT電子公司旗下BI Technologies電子元件部Electronic Components Division今年推出了一款符合RoHS的SOT-23精密分壓器網(wǎng)絡(luò)——SS103KITLF。該網(wǎng)絡(luò)在一個(gè)樣本套件中提供，該套件包含三個(gè)分壓器：
SS103VD07FAQLF7，電阻值為10kΩ/20kΩ (1:2)，絕對(duì)容差可達(dá)1.0%，相對(duì)分比容差低至0.05%， TCR為±25 ppm/℃，最大TCR跟蹤為5 ppm/℃。 SS103VD06CBQLF7，電阻值為11.3kΩ/101.7kΩ (1:9)，絕對(duì)容差低至0.25%，相對(duì)分比容差可達(dá)0.1%，TCR為±25 ppm/℃，最大TCR跟蹤為5 ppm/℃。SS103VD01DQLF7，電阻值為12.4kΩ/20kΩ (0.62:1)，絕對(duì)容差低至0.5%，分比相對(duì)容差低至0.1%，TCR為±25 ppm/℃，最大TCR跟蹤為5 ppm/℃。 
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