S9018三極管j8代換

CJ(長電)代理商南京南山半導體有限公司代理經銷CJ(長電)全系列產品。S9018(j8)高頻三極管型號的管體印字是j8，放大系數范圍在70 ~ 190 之間，是SOT-23封裝NPN極性的三極管型號。南山電子在南京總部和杭州、深圳、香港備有大量現貨庫存，歡迎撥打CJ(長電)晶體管/三極管代理南京南山全國咨詢服務電話【400 888 5058】或咨詢在線客服。

|S9018(j8)參數

類別：高頻三極管-晶體管/三極管
品牌：CJ(長電)
完整型號：S9018
管體印字（marking）：j8
封裝：SOT-23
極性：NPN
放大系數hFE：70 ~ 190
耗散功率PCM ：200 mW
集電極電流Ic：50mA
頻率：800+Mhz

|選型采購聯系方式

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|S9018規格書（PDF）

S9018三極管

相關型號

S9018硅高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態范圍和理想的電流特性。屬于通用型晶體三極管。江蘇長電科技有限公司在該公司已有的軍用微波功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研制開發了系列高頻和通用三極管，還包括：S9018J8（100-200）、S9015 M6（300-400）S9014-L6（300-400）、S9014(J6)(CJ SOT-23 300-400)、S9013 J3（200-350）、 S9012 (2T1)（200-350）（CJ SOT-23）、MMBTH10(3EM)（SOT-23）（100-200）、MMBTA92(2D)(SOT-23)、MMBTA44(CJ SOT-23)（50-200） MMBTA42(SOT-23)等等，其性能指標同進口同類產品相同.

1、硅穿孔（TSV）封裝技術
■ 實現芯片間互連和在三維方向的高密度堆疊
■ 提高產品的信號傳輸速度
■ 降低內部功耗
■ 實現產品的性能最高而外形最小

2、SiP射頻封裝技術
■ 射頻技術可以廣泛應用于無線通訊、身份識別等領域，市場前景十分廣闊。

3、圓片級三維再布線封裝工藝技術
■ 通過再布線設計，將原不規則排布的I/O電極進行陣列式排布。

4、銅凸點互連技術
■ 適用于高密度、大功率封裝

5、高密度FC-BGA封測技術
■ 大幅度降低成本，縮小產品體積

6、多圈陣列四邊無引腳封測技術
■ 替代500腳以下傳統封裝的一種新的封裝技術

7、封裝體三維立體堆疊技術
■ 充分節省產品占用PCB的面積、減少信號干擾。

8、50μm以下超薄芯片三維立體堆疊封裝技術
■ 超大圓片超薄磨片技術
■ 超大圓片超薄劃片技術
■ 超薄芯片堆疊裝片技術
■ 超薄多層芯片打線技術
■ 多層芯片超薄包封技術

9、MEMS多芯片封裝技術
■ MEMS圓片貼裝技術
■ MEMS圓片切割技術
■ MEMS產品貼片技術
■ MEMS芯片間打線技術
■ MEMS產品涂布技術