陶瓷電容按照介質材料的不同可分為3類（美國電工協會標準）即：Ⅰ類的介質材料為C0G或NP0；Ⅱ類的介質材料為X7R；Ⅲ類的介質材料為Y5V。

一 疊層陶瓷電容器的構成
內電極導體一般為Ag或AgPd，陶瓷介質一般為BaTiO3， 多層陶瓷結構通過高溫燒結而成。器件端頭鍍層（外電極）一般為燒結Ag/AgPd，然后制備一層Ni阻擋層(以阻擋內部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn發生反應)，再在Ni層上制備Sn或SnPb層用以焊接。近年來，也出現了端頭使用Cu的MLCC產品。



二 陶瓷電容的工藝制程



三 陶瓷電容的特點
3.1 貼片陶瓷電容的體積可以做的很小，節省了電路板上的空間，使產品輕、薄化。

3.2貼片陶瓷電容的高頻能力較好。

3.3 成本低，便于大批量生產。

3.4 工作電壓的范圍大。

3.5 穩定性高，耐高溫，絕緣性能好。

3.6 容值較低。

四 選型重要參數
4.1 電容量
Ⅰ類陶瓷電容的電容量低，穩定性好。Ⅱ類陶瓷電容的介電常數大，容量比Ⅰ類的幾十倍，但溫度在工作溫度范圍內變化時容量變化在10%左右。Ⅲ類的介電常數比Ⅱ類更高，容量比Ⅱ類可以大5倍，但其對溫度、電壓變化更為敏感。

4.2 ESR/ESL
ESR相對鋁電解電容來說較小，可以用作高頻濾波。

4.3 使用頻率
可以在幾百MHz至1GHz使用

4.4 結構薄弱點
應考慮彎曲的張力對于陶瓷電容的影響。



可以通過在電極兩端加焊引腳吸收電路板上的張力。