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新潔能功率型場效應管NCE3400XY：工控系統的關鍵器件
新潔能功率MOSFET--NCE3400XY，這款器件是先進溝槽技術的結晶，專為電池保護和各種開關應用設計。以其卓越的導通電阻、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作而脫穎而出，成為高效能電子設計的關鍵組件。今天就讓我們一起來探索這款新潔能功率型場效應管NCE3400XY：工控系統的關鍵器件。
NCE3400XY的一般特性包括30V的漏源電壓和5.1A的連續漏極電流，這意味著它能夠處理高功率和電流，同時保持低導通電阻。在2.5V的柵源電壓下，RDS(ON)小于55毫歐，而在10V的柵源電壓下，RDS(ON)更是降至24毫歐，這使得它在電源管理、PWM應用和負載開關等應用中表現出色。
這款功率MOSFET還具備無鉛產品認證，符合環保要求，并且采用表面貼裝封裝，便于自動化生產和表面貼裝技術（SMT）。此外，NCE3400XY的絕對最大額定值包括±12V的柵源電壓和1.3W的最大功耗，以及-55℃至150℃的工作結溫和儲存溫度范圍，這使得它能夠在極端環境下穩定工作。
NCE3400XY的熱特性也非常出色，其結到環境的熱阻為96℃/W，這有助于在高功率耗散下保持器件的穩定性。電氣特性方面，它提供了從0.7V到1.2V的柵閾值電壓，以及在不同柵源電壓和漏極電流條件下的低導通電阻。
電氣特性
| 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDS | - | - | - | 30 | V |
| VGS | - | - | - | ±12 | V |
| ID | - | - | - | 5.1 | A |
| IDM | - | - | - | 20 | A |
| PD | - | - | - | 1.3 | W |
| TJ, TSTG | - | -55 | - | 150 | ℃ |
| BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | VGS=±12V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0.7 | 0.9 | 1.2 | V |
| RDS(on) | VGS=2.5V, ID=3A | - | - | 55 | mΩ |
| RDS(on) | VGS=4.5V | - | 39 | - | mΩ |
| RDS(on) | VGS=10V | - | - | 33 | mΩ |
| Qg | VGS=15V | - | 9.3 | - | nC |
| Ciss | VDS=15V | - | 595 | - | pF |
| Crss | VDS=15V | - | 36 | - | pF |
動態特性包括595pF的輸入電容、39pF的輸出電容和36pF的反向傳輸電容，這些特性使得NCE3400XY在開關應用中能夠快速響應。此外，它的開關特性也非常出色，開通延遲時間為3.0納秒，關斷延遲時間為25納秒，這使得它在需要快速切換的應用中表現出色。
動態特性
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | Ciss | - | - | 595 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | 39 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 36 | - | pF |
| 開通延遲時間 | td(on) | - | - | 3.0 | - | ns |
| 開通上升時間 | tr | - | - | 4.5 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | - | 25 | - | ns |
| 關斷下降時間 | tf | VDD=15V, RL=3Ω, VGS=10V, RGEN=3Ω | - | - | - | ns |
NCE3400XY的漏源二極管特性也不容忽視，其正向電壓為1.2V，能夠處理高達5.1A的正向電流。這款功率MOSFET的典型電氣和熱特性，以及開關測試電路和波形，都展示了其在實際應用中的性能。
總之，NCE3400XY功率MOSFET以其高性能、可靠性和適應性，為現代電子設計提供了一個強大的解決方案。無論是電池保護還是其他開關應用，NCE3400XY都能提供卓越的性能，幫助設計者實現更高效、更可靠的電子設備。
