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新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率 MOSFET 是實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵元件。新潔能推出的增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借其優(yōu)質(zhì)性能，成為眾多工程師的理想選擇。今天就來了解下這款新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負(fù)載開關(guān)的卓越功率器件。
NCE30P12S 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷（Qg），同時(shí)支持低至 4.5V 的柵極電壓操作。這使得該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，特別適合 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。
高耐壓與大電流處理能力
NCE30P12S 的漏源電壓（VDS）高達(dá) -30V，能夠承受高電壓沖擊。連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá) -12A，滿足高功率應(yīng)用需求。這使得 NCE30P12S 能夠在各種高功率場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行，確保設(shè)備的可靠性和效率。
低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷
在 VGS=-4.5V 時(shí)，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 時(shí)，RDS(ON) 小于 13mΩ。低導(dǎo)通電阻顯著降低了功耗，提高了系統(tǒng)的整體效率。同時(shí)，低柵極電荷（Qg）減少了開關(guān)損耗，確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)。
高功率處理能力
NCE30P12S 支持高功率和大電流處理，適用于高功率應(yīng)用。其高功率處理能力使其在 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色，能夠滿足各種高功率需求。
無鉛封裝與表面貼裝
NCE30P12S 采用環(huán)保的無鉛封裝，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的環(huán)保要求。SOP-8 封裝形式適合表面貼裝工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)減少了焊接過程中的復(fù)雜性。
應(yīng)用場(chǎng)景
NCE30P12S 廣泛應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)。在 PWM 應(yīng)用中，NCE30P12S 提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制，確保信號(hào)的快速、準(zhǔn)確傳輸。在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，NCE30P12S 提供穩(wěn)定的電流控制，確保負(fù)載的可靠切換。
技術(shù)參數(shù)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -30 | - | - | V |
| 零柵極電壓漏極電流 | IDSS | VDS=-30V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 柵極-體漏漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.2 | -1.5 | -1 | V |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-10A | 11.5 | 13 | - | mΩ |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-7A | 15 | 21 | - | mΩ |
| 前向跨導(dǎo) | gFS | VDS=-10V, ID=-10A | - | 20 | - | S |
| 輸入電容 | Clss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 2419 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | 318 | - | - | pF |
| 反向轉(zhuǎn)移電容 | Crss | VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 262 | - | pF |
| 開啟延遲時(shí)間 | td(on) | VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω | - | 9 | - | nS |
| 開啟上升時(shí)間 | tr | - | - | 8 | - | nS |
| 關(guān)閉延遲時(shí)間 | td(off) | - | - | 28 | - | nS |
| 關(guān)閉下降時(shí)間 | tf | - | - | 10 | - | nS |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V | - | 44.4 | - | nC |
| 柵極-源極電荷 | Qgs | - | - | 4.6 | - | nC |
| 柵極-漏極電荷 | Qgd | - | - | 10 | - | nC |
| 整流器正向電流 | IS | VGS=0V, IS=-12A | - | - | -12 | A |
| 整流器正向電壓 | VSD | VGS=0V, IS=-12A | - | -1.2 | - | V |
性能優(yōu)勢(shì)
NCE30P12S 的性能優(yōu)勢(shì)使其在各種應(yīng)用場(chǎng)景中都能提供卓越的性能。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷確保了在高頻應(yīng)用中的快速響應(yīng)，而高功率處理能力則使其能夠滿足各種高功率需求。
新潔能 NCE30P12S P-Channel 增強(qiáng)型功率 MOSFET 憑借其卓越的性能和可靠性，成為 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)的理想選擇。無論是在 PWM 控制還是負(fù)載切換中，NCE30P12S 都能提供高效、穩(wěn)定和可靠的性能。選擇新潔能 NCE30P12S，開啟高效、穩(wěn)定和可靠的功率管理新時(shí)代。
