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    電子元器件整合供應(yīng)商
    

    
    
    

    

    

    
    
    
        
        
                    
        
        
    
    

    

    
    

        
        
        
        
    
                
    
        
    
            
    
                
    解決方案
    
                
    作為致力成為最具價(jià)值的電子元器件整合供應(yīng)商，南京南山擁有能為客戶提供全套電子元器件的強(qiáng)大整合能力。公司擁有專門技術(shù)團(tuán)隊(duì)，建有電子元器件例行試驗(yàn)室，能為客戶提供全方位的技術(shù)咨詢、器件選型、樣品提供、器件檢測(cè)等增值服務(wù)。
    
            
    
        
    
    
    

            
    
              
            
    
        
    
        
        
        
    
          
    
            
            
    
              
                

              
    
                  
    
                      
    
                          
    車載逆變器用純國(guó)產(chǎn)MOS管型號(hào)推薦
    
                          
    
                              發(fā)布時(shí)間：2023-12-15
                                  品牌：新潔能(NCE)
                              瀏覽量：2213
                          
    
                          
    
                              
           車載逆變器是一種能夠?qū)?DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同的交流電，供一般電器使用，是一種方便的車用電源轉(zhuǎn)換器。通過(guò)點(diǎn)煙器輸出的車載逆變器可以是 20W 、40W 、80W 、120W 直到150W 功率規(guī)格的。再大一些功率逆變電源要通過(guò)連接線接到電瓶上。車載逆變器主要由DC-DC升壓電路、AC-DC全橋逆變電路、防反接電路組成。
    

           新潔能擁有豐富的分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品， 包括中低壓MOSFET、高壓超結(jié)以及IGBT，可提供最匹配應(yīng)用性能需求的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)逆變器高轉(zhuǎn)換效率的要求。 
    

           新潔能著重推出全新一代Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品，通過(guò)釆用高密度器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的超薄芯片加工工藝，優(yōu)化載流子注入效率和載流分布，顯著降低器件的飽和壓降和關(guān)斷損耗，從而降低器件功耗，提升系統(tǒng)效率。
    

    線路圖
    

    

    推薦產(chǎn)品
    

    防反接：
    

    P-channel Trench MOSFET：
    

    VDS=-30V   Ron@10V（max）=3.2mΩ-8mΩ
    

    VDS=-60V   Ron@10V（max）=4mΩ-20mΩ
    

     
    

    推挽控制：
    

    NCE8295A\NCE82H140\NCE82H140D\NCE80H12\NCE80H12D
    

    NCE01H10\NCE01H10D\NCE01H11\NCE01H13\NCE01H13D
    

    NCE0240\NCE0240F\NCE0250D\NCE0260\NCE0260P\NCE0260T
    

    N-channel SGT-II MOSFET&N-channel SGT-I MOSFET：
    

    VDS=85V   Ron@10V（max）=1.85mΩ-5.5mΩ
    

    VDS=100V   Ron@10V（max）=2.1mΩ-5.0mΩ
    

    NCEP15T14/NCEP15T14D/NCEP15T14LL
    

    NCEP02T10/NCEP02T10T/NCEP02T10D/NCEP02T11D
    

     
    

    全橋逆變：
    

    超結(jié)：NCE65TF180\NCE65TF180D\NCE65TF180T\NCE65TF130D\NCE65TF130T
    

    IGBT：
    

    NCE20TD60B\NCE20TD60BT\NCE20TD60BP\NCE30TD60B\NCE30TD60BT\NCE40TD60BP\NCE40TD60BT\NCE60TD60BP\NCE60TD60BT